三星电子推出了迄今为止比特密度最高的新型垂直NAND (V-NAND)。
三星电子5日表示，将于本月开始批量生产第9代V-NAND，“引领高性能、高密度固态硬盘(SSD)市场的潮流，以满足下一代人工智能(AI)的需求。”
与2022年推出的第八代产品相比，1太比特(Tb)三电平单元(TLC) V-NAND的比特密度提高了50%。三星表示，这是由于该芯片采用了迄今为止最小的电池尺寸和最薄的模具制造而成。
它还具有双堆叠结构，其中有两堆垂直分层的细胞而不是一堆。三星表示，它在这些堆叠上应用了通道孔蚀刻技术，在分层电池上打孔以形成电子通道，层数越多，这一壮举就越困难。
该公司表示，它还消除了虚拟通道孔，以减少电池的表面积，并应用了减少电池干扰和延长电池寿命的技术。
三星表示，第九代V-NAND还采用了最新的NAND接口Toggle 5.1，这使得它的数据输入/输出速度高达3.2Gbps，比上一代产品提高了33%，同时功耗也降低了10%。
它还支持PCIe 5.0接口，其带宽是PCIe 4.0的两倍，速度为32GT/s，三星表示将利用这一点巩固其在高性能SSD市场的领导地位。
三星电子计划，在TLC已经投入生产的情况下，从今年下半年开始批量生产可存储4比特数据的QLC (4 -level cell)。
